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屏幕亮了，手指头在触控板上滑，PMOS 和 NMOS 导通，这事儿看着好办，实打实的物理现象。别整那些大道理，咱直接看线路到底是如何“通”的，就连得说透一下，有时候连导通都算不上，真到了临界点，电流瞬间就炸了。 先说 PMOS，这是个反相的开关。电压低了，管子才肯开；电压高了，它就死沉沉当个电阻。你画个 VdS-VdG 曲线，那个沟道效应就是关键。
比如你调好了电源，管压 Vg 拉高了，沟道形成，电流一刷就是几十毫安。
要是想让它彻底堵死，管子两端的电压差要是够大，阈值电压 Vth 就超过电源电压 Vdd 了。
这时候沟道断开，漏源之间就是个断路。
反过来想，要是你把管子反过来接，把 NMOS 当 PMOS 用，只要漏端电压够低，源端电压够高，NMOS 也能像 PMOS 那样导通。
这逻辑反转，但在电路设计里，搞反了比没搞反更悬，出于电流方向反了，器件寿命可能直接归零。 再看 NMOS，它是正相的，电压高了才导通。Vth 是个门，你得往源极上压个高于 Vth 的电流，要么往漏极拉个高于 Vth 的电压，沟道拉起，电流流。
要是漏源电压 Vds 够大，漏端电位拉低，NMOS 自然导通。但这里有个坑，Vds 大于 Vth 时，管子实际上已经导通了，只是电流被限制了。
这时候你要是持续拉漏源电压，管子可能直接“撑穿”，击穿电流爆炸。
这时候你就得小心了，漏源电压要是超过 25V 就连 30V，管子就坏了。
故此 NMOS 的导通是有限制的，它不是无条件的，得看电压极性对不对。 这两个管子，实际上是个一应的关系。PMOS 导通，NMOS 就得跟着开；NMOS 导通，PMOS 也得跟着开。
要是哪位开着哪位关着，电路就是悬的，像没通电的灯泡。
比如你设计一个好办的反相器，PMOS 的栅极接了 NMOS 的漏极，加上电源，PMOS 就导通了，NMOS 的栅极也得抬高，NMOS 才导通。
这两个是兄弟，一个开，另一个就开。
要是 PMOS 导通了，NMOS 没开，那漏源之间就是个断开的开关，电流过不去。
这时候你测漏源电流，读出来的不是几十毫安，而是几十微安，就连接近于零。 再说说瞬态的情况，有时候导通不是瞬间搞定的，也不是瞬间关掉的，中间有个过渡期。
比如你拉低 Vgs 一个管压，沟道还没彻底消亡，漏源之间就是个高阻抗状态，电流小得可怜。
这时候你要是把源极电平拉低，NMOS 的 Vgs 就变大了，导通电流就起来了。
这个过程就像水流，一启动堵着，你略微用力（转变电压），水流就通了。但有时候电流突然变大，那可能是管子坏了，也可能是瞬态效应，这时候你要看波形，看电流是不是平滑上升的。 还有漏极开路（OD）的情况。
要是你把 PMOS 的漏极直接连到地，管子导通，漏源电压是 0，电流自然大。但要是 PMOS 的漏极连到另一个门，那个门要是导通了，漏源电压就变成漏极的电压，电流就小了。
这时候你要看漏源电压降了多少，要是降得忒少，管子可能已经“撑”过了阈值，电流瞬间暴增，像被短路了一样。
这种情况下，二极管占空比（DOD）可能比你预期的要高，电流波形变得挺不规则，就连出现尖峰。 实际调试时，你得耐心点。
比如测 PMOS 导通电流，你得往漏端拉电压，看电流有没有慢慢上来。
要是电流跳了一下又掉下来，那就是管子坏了。再测 NMOS，得往源极加电流，看漏端有没有电压。
要是漏端没电，管子就是坏的。
有时候 NMOS 导通，电流突然挺大，哪怕管压没变，只要漏端电压低了，电流就大了。
这时候你得看 Vds 有没有变化，要是 Vds 没变，电流大了，那管子一定坏了。 最终总结一下，PMOS 靠电压下降导通，NMOS 靠电压升高导通。它们是一体两面的，一方开，一方就开。但要注意，它们的导通不是无限的，PMOS 不能一直拉低漏源电压，NMOS 不能一直拉高漏源电压。
要是超出范围，管子就炸了。在实际电路里，你得盯着波形，盯着电流跳变，别光看规格书上的参数。
有时候导通电流比参数表上的大，有时候比小，都得实测。测完再对照波形，要是波形不对，管子就是坏的。
这就是搞电子产品的最真感觉，没有那么多教科书式的“起初其次”，只有实测出来的数据，有时候电流突然变大，有时候突然变小，有时候是个尖峰，有时候是一个平滑的曲线，还得耐着性子看。
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